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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011062004.4，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体装置及其制造方法是由白尚训;李昇映设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括：器件层，其包括第一有源图案和第二有源图案以及多个栅电极，第一有源图案和第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且彼此相邻，多个栅电极在衬底上在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且与第一有源图案和第二有源图案交叉；下布线层，其位于器件层上，并且包括第一下布线图案和第二下布线图案，第一下布线图案和第二下布线图案在第一方向上延伸，分别位于第一有源图案和第二有源图案上，并且连接到多个栅电极；以及上布线层，其位于下布线层上，并且具有分别位于第一下布线图案和第二下布线图案上的第一上过孔和第二上过孔以及在第二方向上延伸的第一上布线图案和第二上布线图案。第一上布线图案连接到第一上过孔，而不连接到第二上过孔，第二上布线图案连接到第二上过孔，而不连接到第一上过孔。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 器件层，其包括第一有源图案和第二有源图案以及多个栅电极，所述第一有源图案和所述第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且彼此相邻，所述多个栅电极在所述衬底上在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且与所述第一有源图案和所述第二有源图案交叉； 下布线层，其位于所述器件层上，并且包括第一下布线图案和第二下布线图案，所述第一下布线图案和所述第二下布线图案在所述第一方向上延伸，分别位于所述第一有源图案和所述第二有源图案上，并且连接到所述多个栅电极； 额外的下布线图案，其在所述衬底上在所述第一方向上延伸，并且在所述第二方向上与所述第一下布线图案和所述第二下布线图案间隔开；以及 上布线层，其位于所述下布线层上，并且具有分别位于所述第一下布线图案和所述第二下布线图案上的第一上过孔和第二上过孔以及在所述第二方向上延伸的第一上布线图案和第二上布线图案， 其中，所述第一上布线图案连接到所述第一上过孔，而不连接到所述第二上过孔， 其中，所述第二上布线图案连接到所述第二上过孔，而不连接到所述第一上过孔， 其中，所述器件层还包括源极漏极区，所述源极漏极区在所述第一有源图案和所述第二有源图案中位于所述多个栅电极中的每一个的两侧上，并且所述额外的下布线图案包括连接到所述第一有源图案的源极漏极区的第三下布线图案以及连接到所述第二有源图案的源极漏极区的第四下布线图案，并且 其中，所述第一下布线图案、所述第二下布线图案、所述第三下布线图案和所述第四下布线图案在所述第二方向上以30nm或更小的节距布置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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