新思科技有限公司V·库马尔获国家专利权
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龙图腾网获悉新思科技有限公司申请的专利实现读取操作的温度跟踪动态保持器实施方式获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011551937.X，技术领域涉及：G11C11/417；该发明授权实现读取操作的温度跟踪动态保持器实施方式是由V·库马尔;S·波尔瓦尔;S·库马尔;M·M·帕达利亚;A·哈努扎设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本实现读取操作的温度跟踪动态保持器实施方式在说明书摘要公布了：本申请涉及用于实现读取操作的温度跟踪动态保持器。静态随机存取存储器SRAM系统包含：多个SRAM存储单元，所述多个SRAM存储单元中的每一个耦合到相应读取位线；以及动态保持器，其耦合到所述读取位线。动态保持器包含支持第一温度范围的读取操作的第一保持器和支持第二温度范围的读取操作的第二保持器，以及基于温度选择第一保持器或第二保持器的温度敏感控制电路。
本发明授权实现读取操作的温度跟踪动态保持器实施方式在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器SRAM系统，所述静态随机存取存储器系统包括： 多个SRAM存储单元，所述多个SRAM存储单元中的每一个耦合到相应读取位线； 动态保持器电路，所述动态保持器电路耦合到所述读取位线，所述动态保持器电路包括第一保持器电路和第二保持器电路，所述第一保持器电路经启用以在第一温度范围的读取1操作期间支持所述读取位线，且所述第二保持器电路经启用以在第二温度范围的读取0操作期间支持所述读取位线，其中所述第二温度范围高于所述第一温度范围；以及 温度敏感控制电路，所述温度敏感控制电路基于在所述第二温度范围和所述第一温度范围内的温度启用所述第一保持器电路或所述第二保持器电路中的一者。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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