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龙图腾网获悉赛米控电子股份有限公司申请的专利功率半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110254096.4，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权功率半导体装置是由约翰尼斯·克利尔设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体装置在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体装置，其具有基体，在基体上布置至少一个基底，在该基底上布置功率半导体部件，且功率半导体装置具有布置在基体上的导热且不导电的导热体并具有导电的DC电压母线，其中被导电地连接到母线的导电母线连接元件从DC电压母线在该基底的方向上延伸，其中被导热地连接到DC电压母线的至少一个导热元件从DC电压母线在导热体的方向上延伸，功率半导体装置被设计成使得DC电压母线压在基体的方向上，并且由此将母线连接元件压靠在该基底的导电导体迹线上，结果是，母线连接元件与该基底的导体迹线导电地压力接触，并且还导致该导热元件压靠在导热体上，使得DC电压母线经由该导热元件和导热体而被导热地连接到基体。

本发明授权功率半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置具有基体2a，具有布置在所述基体2a上的至少一个基底3,3'，具有布置在所述至少一个基底3,3'上并且被导电地连接到所述至少一个基底3,3'的功率半导体部件4，并且所述功率半导体装置具有布置在所述基体2a上的导热且不导电的导热体9并且具有导电的DC电压母线5，其中，被导电地连接到所述母线的导电母线连接元件5a'，5b'从所述DC电压母线5在所述至少一个基底3,3'的方向上延伸，其中，被导热地连接到所述DC电压母线5的至少一个导热元件7,7'从所述DC电压母线5在所述导热体9的方向上延伸，其中，所述功率半导体装置1被设计成使得所述DC电压母线5压在所述基体2a的方向上，并且由此将所述母线连接元件5a'，5b'压靠在所述至少一个基底3,3'的导电导体迹线3b'上，结果是，所述母线连接元件5a'，5b'与所述至少一个基底3,3'的这些导电导体迹线3b'导电地压力接触，并且还导致所述至少一个导热元件7,7'压靠在所述导热体9上，使得所述DC电压母线5经由所述至少一个导热元件7,7'和所述导热体9而被导热地连接到所述基体2a， 其中，所述DC电压母线5具有导电的正电势轨5a和导电的负电势轨5b，所述正电势轨5a和所述负电势轨5b通过布置在所述正电势轨5a与所述负电势轨5b之间的不导电绝缘层5c彼此电绝缘，并且 所述功率半导体装置1具有多个导热元件7,7'，其中，所述导热元件7,7'中的第一组导热元件7与所述正电势轨5a一体地形成，并且所述导热元件7,7'中的第二组导热元件7'与所述负电势轨5b一体地形成。

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