武汉安湃光电有限公司陶诗琦获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉安湃光电有限公司申请的专利一种高效率电光调制器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224137577U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520800848.6，技术领域涉及：G02F1/03；该实用新型一种高效率电光调制器是由陶诗琦;袁帅;孙昊骋设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效率电光调制器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种高效率电光调制器，包括：衬底材料、光波导、调制电极、刻蚀沟槽和包层；其中，光波导位于衬底材料之上；调制电极位于光波导两侧，调制电极包括信号电极和地电极；刻蚀沟槽位于光波导和调制电极之间；包层覆盖在光波导、刻蚀沟槽和调制电极之上。本实用新型的高效率电光调制器通过优化微纳工艺在刻蚀光波导的同时在其两侧形成刻蚀沟槽，刻蚀沟槽的存在使得光场在光波导中分布更集中，在保持低传输损耗的同时允许电极间距更小，增强了光波导中的电场强度，进而提高了调制效率。此外，该设计还降低了器件的尺寸，有利于实现光子芯片的高密度集成和系统的小型化，为光通信和光信息处理领域提供了更高效、更紧凑的解决方案。
本实用新型一种高效率电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种高效率电光调制器，其特征在于，包括：衬底材料、光波导、调制电极、刻蚀沟槽和包层；其中，所述光波导位于所述衬底材料之上；所述调制电极位于所述光波导两侧，所述调制电极包括信号电极和地电极；所述刻蚀沟槽位于所述光波导和所述调制电极之间；所述包层覆盖在所述光波导、所述刻蚀沟槽和所述调制电极之上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉安湃光电有限公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市江夏区庙山光电子信息产业园3-2-1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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