苏州亿芯微电子技术有限公司艾俊盛获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州亿芯微电子技术有限公司申请的专利一种芯片组件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224139454U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520767510.5,技术领域涉及:H10W40/22;该实用新型一种芯片组件是由艾俊盛;朱知莉设计研发完成,并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片组件在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种芯片组件,包括:通过设置SOT23封装基板;SOT23封装基板上设置中介层,中介层的外表面设置存储器芯片和逻辑芯片,存储器芯片和逻辑芯片之间填充相变块,热敏元器件设置于所述中介层内,电源模块环绕分布于所述中介层的边缘,在中介层内部集成微型热管阵列,形成垂直散热区域,内部填充水;微型热管阵列吸收热量,相变块在存储器芯片和逻辑芯片之间,发生相变,吸收或释放大量潜热,从而动态调节热阻抗;相比于现有技术,提高芯片散热效率,保持芯片温度稳定。
本实用新型一种芯片组件在权利要求书中公布了:1.一种芯片组件,其特征在于,包括:SOT23封装基板1,固设于所述SOT23封装基板1上的中介层2,固设于所述中介层2的外表面的存储器芯片3和逻辑芯片4,填充于所述存储器芯片3和所述逻辑芯片4之间的相变块5,多个环绕分布于所述中介层2的边缘的电源模块6; 所述中介层2内部集成有微型热管阵列21,形成垂直散热区域; 所述逻辑芯片4具有热敏元器件22,所述热敏元器件22封装于所述中介层2内的独立腔室,所述腔室壁采用多层石墨烯复合材料,用于电磁屏蔽和散热; 所述存储器芯片3和所述逻辑芯片4间隔开,以形成散热通道,所述电源模块6配备散热鳍片,与散热通道形成热隔离。
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