散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所胡海韬获国家专利权
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龙图腾网获悉散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所申请的专利一种用于中子散射的样品环境装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224152382U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520848594.5，技术领域涉及：G01N23/20；该实用新型一种用于中子散射的样品环境装置是由胡海韬;童欣;程辉;邓林晋;窦蒙家;孙远;白波;袁宝;薛瑞豪;钟文彬设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于中子散射的样品环境装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及中子散射技术领域，具体涉及一种用于中子散射的样品环境装置。用于中子散射的样品环境装置包括：样品装置、温控装置和磁场装置，样品装置具有能够容纳样品的样品腔；温控装置用于控制样品腔的温度；磁场装置包括两个沿第一方向间隔布置的超导线圈，超导线圈具有沿第一方向延伸的中心孔，样品通过样品装置置于中心孔内，两个超导线圈之间还设置有沿第二方向延伸的第二孔道和沿第三方向延伸的第三孔道，第二孔道、第三孔道相交于中心孔，且第二方向、第三方向均垂直于第一方向，第二孔道用于供中子束流通过，第三孔道用于供光线通过。上述用于中子散射的样品环境装置能够提供多种场的耦合环境，适用于多种中子散射实验。
本实用新型一种用于中子散射的样品环境装置在权利要求书中公布了：1.一种用于中子散射的样品环境装置，其特征在于，包括： 样品装置，所述样品装置具有能够容纳样品的样品腔； 温控装置，所述温控装置用于控制所述样品腔的温度； 磁场装置，所述磁场装置包括两个沿第一方向间隔布置的超导线圈，所述超导线圈具有沿所述第一方向延伸的中心孔，所述样品通过所述样品装置置于所述中心孔内，两个所述超导线圈之间还设置有沿第二方向延伸的第二孔道和沿第三方向延伸的第三孔道，所述第二孔道、所述第三孔道相交于所述中心孔，且所述第二方向、所述第三方向均垂直于所述第一方向，所述第二孔道用于供中子束流通过，所述第三孔道用于供光线通过。
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