三星电子株式会社李东镇获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111199973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910811306.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件是由李东镇;金志永;金奉秀;卢弦均;郑文泳设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：提供了半导体器件。该半导体器件包括：第一衬底；有源区域，其由第一衬底中的隔离膜限定；氧化物半导体层，其在有源区域中的第一衬底上并且不包括硅；凹陷，其在氧化物半导体层内部；以及栅极结构，其填充凹陷，包括栅电极以及在栅电极上的封盖膜，并且具有与有源区域的上表面在同一平面上的上表面。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一衬底； 有源区域，其由所述第一衬底中的隔离膜限定； 氧化物半导体层，其在所述有源区域中的所述第一衬底上并且不包括硅，所述氧化物半导体层包括凹陷； 栅极结构，其填充所述凹陷，包括栅电极以及在所述栅电极上的封盖膜，所述栅极结构的上表面与所述有源区域的上表面在同一平面上，所述有源区域包括所述第一衬底的由所述隔离膜限定的部分和所述氧化物半导体层； 位线，其在所述隔离膜和所述有源区域上在第一方向上延伸； 位线触点，其布置在所述位线和所述氧化物半导体层之间；以及 导线间隔物，其布置在所述位线触点的侧壁和所述位线的侧壁上，沿所述第一衬底的厚度方向延伸，并且与所述氧化物半导体层接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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