东京毅力科创株式会社山口晋平获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利半导体装置的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114375493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080064193.0，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体装置的制作方法是由山口晋平;今井清隆;壶井笃司设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法具有：在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序；形成包围第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于氮化硅膜和第一导电膜上；除去第一膜而在第一氧化硅膜形成使氮化硅膜的至少一部分和第一导电膜的至少一部分露出的第一开口的工序；以及在第一开口内，在第一导电膜上以接触的方式形成第二导电膜的工序。
本发明授权半导体装置的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制作方法，具有： 在氮化硅膜和第一导电膜上形成含有碳的第一膜的工序； 形成包围上述第一膜的第一氧化硅膜的工序，其中，上述第一氧化硅膜位于上述氮化硅膜和上述第一导电膜上； 除去上述第一膜而在上述第一氧化硅膜形成使上述氮化硅膜的至少一部分和上述第一导电膜的至少一部分露出的第一开口的工序； 在上述第一开口内，在上述第一导电膜上以接触的方式形成第二导电膜的工序； 研磨上述第一氧化硅膜，以使得上述第二导电膜以及上述氮化硅膜的上表面露出的工序； 除去露出的上述氮化硅膜，使形成于上述氮化硅膜的下层的第三导电膜露出的工序； 在上述第一氧化硅膜和上述第三导电膜上形成含有碳的第二膜的工序； 形成包围上述第二膜的第二氧化硅膜的工序，其中，上述第二氧化硅膜位于上述第一氧化硅膜上； 除去上述第二膜而在上述第二氧化硅膜形成使上述第三导电膜的至少一部分和上述第一氧化硅膜的至少一部分露出的第二开口的工序；以及 在上述第二开口内，在上述第三导电膜上以接触的方式形成第四导电膜的工序。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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