富士电机株式会社原田祐一获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180005621.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由原田祐一;野口晴司;小宫山典宏;伊仓巧裕;樱井洋辅设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于基区的上方；多个沟槽部，其在半导体基板的正面侧沿预先确定的排列方向排列；沟槽接触部，其在多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间，设置于半导体基板的正面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于沟槽接触部的下方，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，沟槽接触部的下端比发射区的下端深，在沟槽接触部的侧壁，发射区与接触层接触。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板； 第二导电型的基区，其设置于所述漂移区的上方； 第一导电型的发射区，其设置于所述基区的上方； 多个沟槽部，其在所述半导体基板的正面侧，沿预先确定的排列方向排列； 沟槽接触部，其在所述多个沟槽部中的相邻的两个沟槽部之间，设置于所述半导体基板的正面侧；以及 第二导电型的接触层，其设置于所述沟槽接触部的下方，且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高， 所述沟槽接触部的下端比所述发射区的下端深， 在所述沟槽接触部的侧壁，所述发射区在所述半导体基板的正面露出， 在所述沟槽接触部的侧壁，所述发射区与所述接触层接触， 在所述排列方向上，从所述沟槽接触部的侧壁底部起到所述接触层的外周面为止的最大距离比所述接触层与所述多个沟槽部中的相邻于所述接触层的沟槽部之间的最短距离大。
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