中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011213181.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括层叠在基底的上方的牺牲膜层、以及从上向下贯穿牺牲膜层的电容孔。基底中形成有着陆焊盘，该电容孔与着陆焊盘连通。还包括下电极，该下电极包括形成在电容孔内且与着陆焊盘接触的部分、以及沿着电容孔的侧壁向上延伸到外露于电容孔外的部分。通过保留部分牺牲膜层，下电极由在电容孔内的部分、以及沿着电容孔的侧壁向上延伸到外露于电容孔外的部分组成，由于牺牲膜层部分保留，其环绕在下电极的下部分，能够对下电极进行支撑，防止下电极倾斜；后续工序中在下电极上沉积介质层及上电极时，环绕在下电极的下部分的牺牲膜层还防止下电极弯曲变形，从而防止电容器坍塌。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 形成在基底中的着陆焊盘，所述基底还包括隔离部、存储接触部和晶体管，所述着陆焊盘形成在所述存储接触部上，所述着陆焊盘通过所述存储接触部与所述晶体管的源区或漏区电连接，所述隔离部用于隔离相邻两个所述着陆焊盘； 层叠在所述基底的上方的牺牲膜层； 从上向下贯穿所述牺牲膜层后与所述着陆焊盘连通的电容孔； 下电极，包括形成在所述电容孔内且与所述着陆焊盘接触的部分、和沿着所述电容孔的侧壁向上延伸到外露于所述电容孔外的部分，所述下电极的形状为筒状；其中，所述下电极的底壁与所述着陆焊盘接触；所述下电极的侧壁部分与所述电容孔的孔壁接触，部分外露于所述电容孔外；所述着陆焊盘的直径大于所述下电极的直径； 在所述下电极的底壁、内侧壁、以及外露于所述电容孔外部分的外侧壁上均形成有上电极、以及将所述下电极与上电极绝缘隔离的介质层。
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