长江存储科技有限责任公司李思晢获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制备方法、三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664839B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210208776.7，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器是由李思晢;徐前兵;赵婷婷;陆聪;高晶;霍宗亮设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、三维存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高标记的使用稳定性，进而提高半导体结构的良率水平。所述半导体结构的制备方法包括：在衬底上形成第一堆叠结构；在标记区形成标记，标记贯穿第一堆叠结构；在第一堆叠结构远离衬底的一侧依次形成保护层和第一掩膜层；基于第一掩膜层刻蚀第二子层，使第二子层的厚度小于第一子层的厚度；去除第一掩膜层；刻蚀第一子层、第二子层及第二子层下方的第一堆叠结构，以暴露出标记的远离衬底的端部，且使第一堆叠结构中位于阵列区的部分仍被第一子层覆盖。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现三维存储器的制备。
本发明授权半导体结构及其制备方法、三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括交替堆叠的多层第一绝缘层和多层第一牺牲层；所述第一堆叠结构具有阵列区和标记区； 在所述标记区形成标记，所述标记贯穿所述第一堆叠结构； 在所述第一堆叠结构远离所述衬底的一侧依次形成保护层和第一掩膜层；所述保护层包括位于所述阵列区的第一子层和位于所述标记区的第二子层，所述第一掩膜层暴露所述标记区； 基于所述第一掩膜层刻蚀所述第二子层，使所述第二子层的厚度小于所述第一子层的厚度； 去除所述第一掩膜层； 刻蚀所述第一子层、所述第二子层及所述第二子层下方的第一堆叠结构，以暴露出所述标记的远离所述衬底的端部，且使所述第一堆叠结构中位于所述阵列区的部分仍被所述第一子层覆盖。
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