宁波大学吕业刚获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波大学申请的专利一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210156877.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器是由吕业刚;孙伟设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器，包括硅基平面光波导，特点是波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生晶态至非晶态的可逆相变的相变圆环结构，相变圆环结构卡嵌在金属圆盘和金属圆环之间，相变圆环结构、金属圆盘和金属圆环形成的同心圆结构整体位于波导上表面或者半嵌入波导中或者完全嵌入到波导中，相变圆环结构为相变层Ge2Sb2Te5或Ge2Sb2Se4Te，具有至少两个稳定的状态，即晶态和非晶态，且这两个状态对探测光具有明显不同的吸收系数，优点是相变受热均匀且开关速度更快和功耗更低。
本发明授权一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器，包括波导，所述的波导为硅基平面光波导，其特征在于：所述的波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生晶态至非晶态的可逆相变的相变圆环结构，所述的相变圆环结构卡嵌在金属圆盘和金属圆环之间，所述的相变圆环结构为相变层Ge2Sb2Te5或Ge2Sb2Se4Te，具有至少两个稳定的状态，即晶态和非晶态，且这两个状态对探测光具有明显不同的吸收系数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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