中国科学院电工研究所商红静获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种Mg3SbBi柔性热电膜材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211416897.7，技术领域涉及：H10N10/851；该发明授权一种Mg3SbBi柔性热电膜材料及其制备方法是由商红静;丁发柱;古宏伟;邹琪;张琳设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Mg3SbBi柔性热电膜材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Mg3SbBi柔性热电膜材料及其制备方法，属于热电材料技术领域。采用互相缠绕的单壁碳纳米管作为衬底，片状的Mg3SbBi晶粒附着在单壁碳纳米管上生长，形成二维网状结构；这种特殊结构可以提供导电通道，提高载流子迁移率，从而使得热电膜材料具有高热电性能；此外，由单壁碳纳米管和片状的Mg3SbBi晶粒形成的网状结构，可以有效缓冲应力、应变，从而赋予材料良好的可变形能力。
本发明授权一种Mg3SbBi柔性热电膜材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Mg3SbBi柔性热电膜材料，其特征在于，包括互相缠绕的单壁碳纳米管和附着在所述单壁碳纳米管上的Mg3SbBi晶粒，所述单壁碳纳米管和Mg3SbBi晶粒形成二维网状结构；所述Mg3SbBi晶粒为片状； 所述Mg3SbBi柔性热电膜材料的制备方法包括以下步骤： 将单壁碳纳米管的分散液涂覆到衬底上，干燥后得到附着碳纳米管的衬底； 以Mg3Sb2合金靶和Mg3Bi2合金靶作为溅射靶材，在所述附着碳纳米管的衬底表面进行磁控溅射，在单壁碳纳米管上形成Mg3SbBi晶粒，得到所述Mg3SbBi柔性热电膜材料； 所述Mg3Sb2合金靶的制备包括：将金属Mg和Sb按照Mg:Sb=3:2的摩尔比混合，依次进行球磨和热压，热压温度为780~800℃，热压时间为5~30min，得到Mg3Sb2合金靶；所述Mg3Bi2合金靶的制备包括：将金属Mg和Bi按照Mg:Bi=3:2的摩尔比混合，依次进行球磨和热压，热压温度为720~780℃，热压时间为5~30min，得到Mg3Bi2合金靶。
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