深圳市化讯半导体材料有限公司黄明起获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市化讯半导体材料有限公司申请的专利一种巨量转移方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211440801.0，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种巨量转移方法是由黄明起;李硕;叶振文;陈伟;刘献伟设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种巨量转移方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括如下步骤：1将含有至少两个LED芯片的外延片与第一衬底进行键合，形成键合对，所述第一衬底的表面由内至外依次设置有激光释放层和临时粘接层；2将键合对在激光下照射，剥离外延片，使LED芯片转移至所述第一衬底上；3将LED芯片与设置有激光诱导释放层的第二衬底键合；4将激光透过第一衬底，分解激光释放层，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层；5激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的LED芯片掉落至基板，完成LED芯片的翻转。本发明所述巨量转移方法转移精确度好、效率高、成品率高及工艺成本低。
本发明授权一种巨量转移方法在权利要求书中公布了：1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤： 1将含有至少两个LED芯片的外延片与第一衬底进行键合，形成键合对，所述第一衬底的表面由内至外依次设置有激光释放层和临时粘接层； 2将键合对在激光下照射，剥离外延片，使LED芯片转移至所述第一衬底上； 3将步骤2中的LED芯片与设置有激光诱导释放层的第二衬底键合，所述LED芯片与激光诱导释放层相接触； 4将激光透过第一衬底，分解激光释放层，剥离第一衬底后除胶，去除临时粘接层和部分激光诱导释放层，使LED芯片各自独立分布； 5激光照射剩余部分激光诱导释放层，对应位置的LED芯片掉落至基板，完成LED芯片的翻转； 所述激光释放层的厚度为100-1000nm； 步骤3中，所述激光诱导释放层的厚度为1-5μm； 所述激光诱导释放层的材质包括三氮烯聚合物。
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