买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种增强型GaN-HEMT制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310357525.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种增强型GaN-HEMT制备方法是由傅信强;代书雨;王毅设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型GaN-HEMT制备方法在说明书摘要公布了：一种增强型GaN‑HEMT制备方法。涉及半导体器件。本发明通过优化GaNHEMT的外延生长方法以及后续制备工艺，实现制备相同耐压，更小尺寸GaNHEMT器件或相同尺寸，更高耐压的目的。通过在高阻的氮化镓耐压层上生长规则排布的的AlN层作为凸台，后续在此凸台基础上生成均匀厚度的GaN沟道层和AlGaN势垒层，使用台阶仪检测AlGaN势垒层高点Z方向高度Z0，此时对外延片进行填充重掺杂的多晶硅，再使用平坦工艺刻蚀刻蚀到之前记录的Z0高度处，再继续生长P型GaN帽层，后续进行栅极区域的刻蚀，并制备肖特基金属、再在漏源区域制备欧姆金属，实现在相同的耐压下、大大缩减器件尺寸的目的。

本发明授权一种增强型GaN-HEMT制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型GaN-HEMT制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S100，选取硅衬底并进行P型掺杂； S200，硅衬底上异质外延生长AlGaN过渡层； S300，在AlGaN过渡层上异质外延生长GaN高阻层； S400，GaN高阻层上异质外延生长AlN凸台； S410，采用MOCVD在GaN高阻层上异质外延生长AlN凸台，AlN凸台的厚度为1um，生长后在外延片表面涂敷光刻胶，并进行曝光和显影，形成曝光区域和非曝光区域1um：1um周期性排列的图形，再通过干法刻蚀以及去胶工艺，最终获得厚度为1um，长度为1um，相邻AlN凸台间距为1um，周期性排列的AlN凸台； S500，异质外延生长GaN沟道层； S510，在步骤S400完成后的周期性排列AlN凸台上，异质外延生长厚度为0.6um的GaN沟道层； S600，异质外延生长AlGaN势垒层； S610，在GaN沟道层上，使用MOCVD异质外延生长厚度为0.1um的AlGaN势垒层； S700，沉积重掺杂的多晶硅； S710，台阶仪测试抑制外延后的AlGaN势垒层最高处Z0，然后使用PEVCD沉积1.2um的重掺杂多晶硅，沉积后进行平坦化工艺，将外延片表面刻蚀到Z0高度； S800，沉积P型GaN帽层； S900，栅极区域制备肖特基金属； S100，生长栅极场板； S110，漏源区域制备欧姆金属。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。