西安奕斯伟材料科技股份有限公司徐鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请的专利一种用于检测硅片的周缘损伤层的深度的系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230569B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211600238.9，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种用于检测硅片的周缘损伤层的深度的系统及方法是由徐鹏设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于检测硅片的周缘损伤层的深度的系统及方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种用于检测硅片的周缘损伤层的深度的系统及方法，所述系统包括：截面获取装置，所述截面获取装置用于获取所述硅片的截面，其中，所述截面与所述硅片垂直；测量装置，所述测量装置用于测量所述硅片的直径并且测量所述截面在与所述硅片平行的第一方向上的截面尺寸；尺寸获取装置，所述尺寸获取装置用于获取所述周缘损伤层在所述截面中并且在所述第一方向上的损伤层尺寸；计算装置，所述计算装置用于根据所述直径、所述截面尺寸和所述损伤层尺寸计算所述周缘损伤层的深度。
本发明授权一种用于检测硅片的周缘损伤层的深度的系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种用于检测硅片的周缘损伤层的深度的系统，其特征在于，所述系统包括： 截面获取装置，所述截面获取装置用于获取所述硅片的截面，其中，所述截面与所述硅片所处于的平面垂直，所述硅片的截面包括所述硅片中间的非损伤层截面以及所述硅片两侧的周缘损伤层截面； 测量装置，所述测量装置用于测量所述硅片的直径并且测量所述截面在与所述硅片所处于的平面平行的第一方向上的截面长度尺寸； 尺寸获取装置，所述尺寸获取装置用于获取单侧的所述周缘损伤层在所述截面中并且在所述第一方向上的损伤层长度尺寸； 计算装置，所述计算装置用于根据所述直径、所述截面长度尺寸和所述损伤层长度尺寸计算所述周缘损伤层的深度， 其中，设定所述直径为D，所述截面长度尺寸为L1，所述损伤层长度尺寸为L2，则所述计算装置利用以下公式计算所述深度d： 。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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