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龙图腾网获悉恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利一种场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310383945.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种场效应晶体管是由罗志云;潘梦渝;王飞设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种场效应晶体管，包括沟槽结构伸入到第一导电类型半导体漂移区内，每一沟槽结构包括至少两个第一子沟槽结构和一个第二子沟槽结构，至少两个第一子沟槽沿第三方向依次排列；每一第一子沟槽结构包括一个屏蔽栅多晶硅电极；相邻的第一子沟槽结构之间具有第二导电类型区，相邻的第一子沟槽结构相对的表面为第一表面，第一子沟槽结构与第一导电类型半导体衬底邻近的表面为第二表面；第二导电类型区至少覆盖第一表面中与第二表面相交的部分区域和或第二导电类型区至少覆盖第二表面中与第一表面相交的部分区域。本发明可缓解屏蔽栅沟槽底部拐角处的电场集中，提升器件可靠性。

本发明授权一种场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括： 第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区，第二导电类型半导体阱区，屏蔽栅多晶硅电极，栅多晶硅电极，屏蔽栅介质层，隔离介质层、栅极介质层和第二导电类型区； 所述第一导电类型半导体衬底、所述第一导电类型半导体漂移区以及所述第二导电类型半导体阱区沿第一方向依次层叠设置； 沟槽结构伸入到第一导电类型半导体漂移区内，所述沟槽结构包括屏蔽栅多晶硅电极、栅多晶硅电极、屏蔽栅介质层、隔离介质层和栅极介质层，且两个所述沟槽结构沿第二方向位于第二导电类型半导体阱区的两侧，所述沟槽结构沿第三方向延伸；其中，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直； 每一所述沟槽结构包括至少两个第一子沟槽结构和一个第二子沟槽结构，至少两个所述第一子沟槽沿所述第三方向依次排列，所述第二子沟槽结构沿所述第一方向位于所述第一子沟槽结构远离所述第一导电类型半导体衬底一侧，且所述第二子沟槽结构与所述第一子沟槽结构相互连接；每一所述第一子沟槽结构包括一个所述屏蔽栅多晶硅电极，所述第二子沟槽结构包括栅多晶硅电极； 所述屏蔽栅多晶硅电极和所述栅多晶硅电极之间由所述隔离介质层隔开，所述屏蔽栅多晶硅电极与所述第一导电类型半导体漂移区之间由所述屏蔽栅介质层隔开，所述栅多晶硅电极与所述第二导电类型半导体阱区之间由栅极介质层隔开； 沿所述第三方向，相邻的所述第一子沟槽结构之间设置有所述第二导电类型区；沿所述第三方向，相邻的所述第一子沟槽结构相对的表面为第一表面，所述第一子沟槽结构与所述第一导电类型半导体衬底邻近的表面为第二表面； 所述第二导电类型区至少覆盖所述第一表面中与第二表面相交的部分区域和或所述第二导电类型区至少覆盖所述第二表面中与第一表面相交的部分区域。

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