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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264161B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111523100.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张仪;许超奇;陈淑娴;林峰;马春霞;徐鹏龙设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，在半导体器件的制备方法中，通过同一掩模，利用自对准工艺分别形成源极和引出区，精简工艺。并且，源极叠置于引出区上。即，源极和引出区在垂直于衬底的方向上呈层叠结构，则引出区不影响源极的尺寸；同时，空穴可直接经体区进入引出区，无需绕过源极进入引出区，缩小的电流路径，降低导通电阻，避免寄生NPN的开启，提高器件性能。此外，本发明还利用导电插塞贯穿源极，与引出区相接触，实现同时引出源极和引出区。其中，源极的所在区域经非晶化处理，有利于导电插塞中粘附层的生长，使得电接触效果好。因此，本发明不仅实现源极和引出区的同时引出，还降低工艺难度和导通电阻，提高槽型MOS性能。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有从所述衬底的上表面向下延伸的阱区和沟槽，且所述沟槽贯穿所述阱区； 形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述沟槽的侧壁； 形成体区，所述体区位于所述阱区的下方的所述衬底中，且与所述栅极结构有部分交叠； 形成源极和引出区，所述源极和所述引出区均位于所述沟槽下的所述体区中，所述沟槽暴露至少部分所述源极，且所述源极叠置于所述引出区上； 形成第一介质层，所述第一介质层填充所述沟槽； 形成漏极，所述漏极位于所述沟槽外周的所述阱区中； 形成接触孔，所述接触孔依次贯穿所述第一介质层和所述源极，并延伸至所述引出区内，所述接触孔中形成导电插塞，以同时引出所述源极和所述引出区；且所述源极、所述引出区和所述漏极均从所述衬底的上表面引出； 其中，采用掺杂工艺形成所述源极和所述引出区，以使所述沟槽底部经非晶化处理，且所述第一介质层和所述源极交界处的所述接触孔的侧壁朝向所述接触孔的中心轴线凸起。

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