中国科学院金属研究所刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利同时提高微米NdFeB基永磁膜剩余磁化强度和矫顽力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310171756.1，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权同时提高微米NdFeB基永磁膜剩余磁化强度和矫顽力的方法是由刘伟;李春昊;赵晓天;刘龙;张志东设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本同时提高微米NdFeB基永磁膜剩余磁化强度和矫顽力的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种同时提高微米级NdFeB基永磁厚膜剩余磁化强度和矫顽力的方法。该方法为在NdFeB基厚膜生长过程引入组合层，使组合层介于硬磁层之间，所述组合层排列结构为：隔离层软磁层隔离层。组合层中的非磁层充当隔离层以一定程度上增大矫顽力，软磁层通过与硬磁层厚膜之间的长程相互作用提高剩余磁化强度。所述隔离层优选为Ta，软磁层为优选Fe。当组合层插入7层，且其中软磁层厚度为80nm时，使永磁厚膜的剩余磁化强度达到1.2T，且矫顽力维持在1.5T以上。该方法为NdFeB基永磁厚膜在MEMS、微型永磁电机上的使用提供了性能上的保证。
本发明授权同时提高微米NdFeB基永磁膜剩余磁化强度和矫顽力的方法在权利要求书中公布了：1.一种同时提高微米NdFeB基永磁厚膜剩余磁化强度和矫顽力的方法，其特征在于：所述永磁厚膜的总厚度不低于6μm，且单层硬磁层的厚度为500nm-3μm；通过在硬磁层的生长过程中插入非磁软磁组合层，使组合层介于硬磁层之间，所述组合层排列结构为：隔离层软磁层隔离层；其中，所述软磁层厚度为50-100nm，所述隔离层厚度≥2nm。
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