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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310051946.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法是由廖敏;蒋拥权;曾斌建设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法，包括：制备一个圆柱状的绝缘层，在所述绝缘层外围上增加一个空心圆柱状的沟道层，在所述沟道层外围上增加一个空心圆柱状的第二绝缘层，在所述第二绝缘层外围上增加一个空心圆柱状的HfO2基铁电薄膜层，在所述绝缘层两端，分别增加空心圆柱状的源极层、空心圆柱状的漏极极层；形成HfO2基铁电场效应晶体管存储器件。本发明所述的HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法可以有效的改变阈值的漂移、存储窗口的变化，从而改良HfO2基铁电场效应晶体管存储器的均一性。

本发明授权一种HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法在权利要求书中公布了：1.一种HfO2基铁电场效应晶体管存储器件均一性优化方法，其特征在于，包括： S1：制备一个圆柱状的绝缘层，所述绝缘层为SiO2、SiON、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、La2O3、HfSiON与GeO2中的一种或多种组成，所述绝缘层的直径为a； S2：在所述绝缘层外围上增加一个空心圆柱状的沟道层，所述沟道层厚度为b； S3：在所述沟道层外围上增加一个空心圆柱状的第二绝缘层，所述第二绝缘层为SiO2、SiON、Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、La2O3、HfSiON与GeO2中的一种或多种组成，所述第二绝缘层厚度为c； S4：在所述第二绝缘层外围上增加一个空心圆柱状的HfO2基铁电薄膜层，所述HfO2基铁电薄膜层为掺杂的HfO2，所述HfO2基铁电薄膜层厚度为d； S5：在所述绝缘层两端，分别增加空心圆柱状的源极层、空心圆柱状的漏极层，所述源极层、漏极层厚度相同，均为e； S6：形成HfO2基铁电场效应晶体管存储器件； 其中，所述绝缘层直径a、第二绝缘层厚度c使用等效氧化层厚度表述，所述等效氧化层厚度公式为： tEOT=t 所述tEOT为等效氧化层厚度，kox为二氧化硅介电常数，t为绝缘层厚度，k为该绝缘层介电常数； 所述第二绝缘层等效氧化层厚度在0.5-1.5nm之间； 在所述步骤S4中，掺杂元素为Si、Al、Zr、La、Ce、Sr、Lu、Gd、Sc、Nd、Ge、N中的一种或多种的组合。

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