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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利屏蔽栅沟槽结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310471051.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权屏蔽栅沟槽结构及其制备方法是由石磊设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本屏蔽栅沟槽结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种屏蔽栅沟槽结构及其制备方法。由于本发明所提供的形成屏蔽栅沟槽结构的有源区所对应的外延层内还同时集成有多个SBR器件，进而使屏蔽栅沟槽结构在正常工作时，便可利用SBR器件的薄栅氧化层的开启电压低于外延层与体区之间构成的PN结的开启电压的特性，使得器件在关断时，寄生电容的电流会从SBR器件的势垒MOS沟道迅速释放，电流不经过寄生PN结，从而使器件的反向恢复特性大大优于传统的SGTMOSFET器件，即有效的减少了由于高开启电压造成的损耗、降低了高频开关过程中的开关损耗，并最终实现了提高直流‑直流转换控制电路的转换效率的目的。

本发明授权屏蔽栅沟槽结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽结构的制备方法，其特征在于，应用于MOS管作为开关器件的直流-直流转换控制电路中，所述制备方法至少包括如下步骤： 提供一具有外延层的半导体衬底，所述半导体衬底至少包括有源区； 在所述有源区所对应的外延层内从左到右至少依次形成栅极沟槽、第一短沟道沟槽、MOS管沟槽和第二短沟道沟槽，且在形成的所有沟槽的下部空间的内表面上均形成屏蔽栅介质层、填满所述下部空间的屏蔽栅，以及覆盖在所述屏蔽栅介质层和所述屏蔽栅的顶面上的隔离介质层； 在所述栅极沟槽和所述MOS管沟槽所暴露出的上部空间的两侧内壁上形成厚氧化层和填满所述栅极沟槽和所述MOS管沟槽的剩余空间的栅极多晶硅层；以及，在所述第一短沟道沟槽和所述第二短沟道沟槽所暴露出的上部空间的两个内壁上形成薄氧化层以及填满所述第一短沟道沟槽和所述第二短沟道沟槽的剩余空间的多晶硅层； 在所述有源区所对应的外延层内形成用于形成SBR器件的所述第一短沟道沟槽和所述第二短沟道沟槽的数量与该有源区所对应的外延层内形成的所有沟槽的数量之比为：10%~15%。

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