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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310333882.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种图像传感器及其制作方法是由陈维邦设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体制造技术领域。所述图像传感器至少包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；浅沟槽隔离结构，由所述第二表面延伸至所述衬底中；底部隔离层，设置在所述衬底中，且位于所述浅沟槽隔离结构靠近所述第一表面的一侧；多个光电感应区，设置在所述衬底中，且位于所述底部隔离层靠近所述第一表面的一侧；深沟槽隔离结构，由所述第一表面延伸至所述衬底中，所述深沟槽隔离结构与所述浅沟槽隔离结构对应设置，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电感应区之间；以及侧壁隔离层，位于所述光电感应区和所述深沟槽隔离结构之间。通过本发明提供的一种图像传感器，可防止相邻像素单元之间的串扰。

本发明授权一种图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括： 衬底，具有相对的第一表面和第二表面； 浅沟槽隔离结构，由所述第二表面延伸至所述衬底中； 底部隔离层，设置在所述衬底中，所述底部隔离层位于所述浅沟槽隔离结构靠近所述第一表面的一侧； 底部隔离氧化层，所述底部隔离氧化层设置在所述衬底中，且位于所述浅沟槽隔离结构和所述底部隔离层之间；在形成所述底部隔离层时，向所述衬底中植入氧离子，形成含氧层，且所述含氧层位于所述浅沟槽隔离结构和所述底部隔离层之间；经过退火，所述氧离子与所述衬底反应，形成所述底部隔离氧化层； 多个光电感应区，设置在所述衬底中，所述光电感应区位于所述底部隔离层靠近所述第一表面的一侧； 深沟槽隔离结构，由所述第一表面延伸至所述衬底中，且所述底部隔离层位于所述深沟槽隔离结构与所述浅沟槽隔离结构之间，所述深沟槽隔离结构与所述浅沟槽隔离结构对应设置，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电感应区之间；以及 侧壁隔离层，位于所述光电感应区和所述深沟槽隔离结构之间。

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