安徽格恩半导体有限公司阚宏柱获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种具有热电优值控制层的半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116316071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310324962.1，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种具有热电优值控制层的半导体激光器是由阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;张江勇;蔡鑫;黄军;刘紫涵设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有热电优值控制层的半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；所述热电优值控制层的Si掺杂浓度大于所述衬底和下限制层的Si掺杂浓度，所述热电优值控制层的C杂质浓度小于所述下限制层的C杂质浓度，所述热电优值控制层的H杂质浓度小于或等于所述下限制层的H杂质浓度。本发明提升激光器系统的模式增益、功率因子和斜率效率，斜率效率提升125％，光功率提升37％，限制因子提升50％。
本发明授权一种具有热电优值控制层的半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种具有热电优值控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，其特征在于，所述衬底和下限制层之间设置有热电优值控制层；所述热电优值控制层为AlGaN、AlInGaN、GaN、AlInN、InGaN的任意一种或任意组合，厚度为10~50000埃米； 所述热电优值控制层的Si掺杂浓度分别大于所述衬底和下限制层的Si掺杂浓度，所述热电优值控制层的C杂质浓度小于所述下限制层的C杂质浓度，所述热电优值控制层的H杂质浓度小于或等于所述下限制层的H杂质浓度。
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