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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种利用湿法浅刻提升光栅元件抗激光损伤性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116559987B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310599733.0，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种利用湿法浅刻提升光栅元件抗激光损伤性能的方法是由刘太祥;杨科;严鸿维;李昌朋;黄林;黄进;张卓;钱宇杰;易聪之设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用湿法浅刻提升光栅元件抗激光损伤性能的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用湿法浅刻提升光栅元件抗激光损伤性能的方法，包括：对光栅元件进行喷淋清洗；对喷淋清洗后的光栅元件进行碱液清洗；对碱液清洗后的光栅元件进行湿法浅刻；对湿法浅刻后的光栅元件进行漂洗；对漂洗后的光栅元件进行慢提拉。本发明可有效去除光栅元件表面或亚表面的污染或缺陷，大幅降低光栅元件在对激光能量的吸收，进而提升光栅元件的抗激光损伤性能，延长光栅元件使用寿命，降低光栅元件使用成本。

本发明授权一种利用湿法浅刻提升光栅元件抗激光损伤性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用湿法浅刻提升光栅元件抗激光损伤性能的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、对光栅元件进行喷淋清洗，具体方法包括： S11、将光栅元件置于喷流速度≥2ms的阵列型喷嘴中间，光栅元件竖直放置，喷流方向朝光栅元件表面，斜向下与光栅元件表面呈30°夹角，喷流水温50℃，喷淋时间5分钟； S12、将光栅元件全浸没于盛有电阻率≥15MΩ·cm的高纯水的不锈钢槽体中，水体温度为50℃，槽体底部具有超声振板；清洗过程中，超声振板频率依次从28kHz、40kHz、80kHz、108kHz变化到120kHz，每个频率持续时间3分钟； 步骤二、对喷淋清洗后的光栅元件进行碱液清洗； 步骤三、对碱液清洗后的光栅元件进行湿法浅刻，具体方法包括： 将光栅元件浸没于质量浓度为0.5%的氢氟酸溶液中，溶液用聚四氟乙烯槽体盛装；槽体底部配置超声振板，浅刻过程中，超声振板频率为750kHz，持续时间10分钟，氢氟酸溶液温度控制在30℃，浅刻深度100nm； 步骤四、对湿法浅刻后的光栅元件进行漂洗； 步骤五、对漂洗后的光栅元件进行慢提拉，具体方法包括： 将光栅元件全浸没于盛有电阻率≥15MΩ·cm的高纯水的不锈钢槽体中，水体温度控制为20℃；按照50mmmin的速度将光栅元件从水体中提拉出水面； 所述步骤一中，对光栅元件进行喷淋清洗使用的清洗溶液为电阻率≥15MΩ·cm的高纯水、25wt%浓度的乙醇有机试剂溶液、稀释后的5wt%浓度盐酸酸性清洗液或5wt%浓度氢氧化钠碱性清洗液中的一种； 所述步骤三中，对碱液清洗后的光栅元件进行湿法浅刻使用的刻蚀液包括氢氟酸、盐酸、硫酸、硝酸、氢氧化钠或氢氧化钾中的一种； 所述步骤二中，对喷淋清洗后的光栅元件进行碱液清洗使用的碱液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，或者氢氧化钠与氢氧化钾的混合溶液； 所述步骤二中，对喷淋清洗后的光栅元件进行碱液清洗的具体方法包括：将光栅元件全浸没于盛有质量浓度为5%的氢氧化钠溶液的不锈钢槽体中，溶液温度为35℃，槽体底部具有超声振板；清洗过程中，超声振板频率依次从28kHz、40kHz、80kHz、108kHz变化到120kHz，每个频率持续时间5分钟； 所述步骤四中，对湿法浅刻后的光栅元件进行漂洗使用的漂洗液为高纯水或9≤pH≤10的氢氧化钠碱性水溶液； 所述步骤四中，对湿法浅刻后的光栅元件进行漂洗的具体方法包括： S41、将光栅元件全浸没于盛有电阻率≥15MΩ·cm的高纯水的不锈钢槽体中，水体温度为50℃，槽体底部具有超声振板；清洗过程中，超声振板频率依次从28kHz、40kHz、80kHz、108kHz变化到120kHz，每个频率持续时间3分钟； S42、将光栅元件全浸没于盛有电阻率≥15MΩ·cm的高纯水的不锈钢槽体中，水体温度为50℃，槽体底部具有超声振板；清洗过程中，超声振板频率为750kHz，持续时间10分钟。

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