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龙图腾网获悉湖南静芯微电子技术有限公司申请的专利低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210873373.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件及制作方法是由董鹏;关文杰;汪洋;李幸;骆生辉设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件及制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型埋层、P型阱、P型浅阱等；第二N+注入区与第三N+注入区通过导线直接相连，且在第二N+注入区与第三N+注入区的正下方设有浓度较高的P型浅阱PB，该设计能够对降低器件的正反向导通电阻以及触发电压起重要作用；第一P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第二P+注入区、第四N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，如此，该器件能够在明显地降低器件导通电阻的情况下，有效地保护芯片的核心电路，远离闩锁的风险。该器件能够应用于‑5.5～5.5V工作电压的IO端口的ESD防护。

本发明授权低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻高鲁棒性双向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；所述P型衬底中设有N型埋层；所述N型埋层上方中间为N型阱；所述N型埋层左侧设有第一P阱，所述N型埋层右侧设有第二P阱；所述第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区和第二N+注入区，其中，所述第一P+注入区位于所述第一P阱左侧，所述第一N+注入区位于所述第一P+注入区右侧并贴合在一起，所述第二N+注入区位于所述第一N+注入区的右侧； 所述第二P阱内设有第二P+注入区、第三N+注入区和第四N+注入区，其中，所述第二P+注入区位于所述第二P阱右侧，所述第四N+注入区位于所述第二P+注入区左侧并贴合在一起，所述第三N+注入区位于所述第二N+注入区的左侧，同时，所述第三N+注入区与所述第二N+注入区通过金属导线直接连接； 所述第一P阱和所述第二P阱之间设有N型阱，所述N型阱中间位置设有浮空N+注入区，同时，第二P型浅阱PB和第三P型浅阱PB分别设置横跨在所述第一P阱、所述N型阱和所述第二P阱中间位置；所述第二N+注入区与所述第三N+注入区的正下方分别设有第一P型浅阱PB和第四P型浅阱PB；所述N型埋层的上方的左侧和右侧分别设有第一高压N阱和第二高压N阱；所述第一P+注入区、所述第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，所述第二P+注入区、所述第四N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。

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