中国科学院金属研究所史建夫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种增加补缩片对单晶叶片缘板杂晶的抑制工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117483653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311396302.0，技术领域涉及：B22C9/04；该发明授权一种增加补缩片对单晶叶片缘板杂晶的抑制工艺是由史建夫;王栋;郑伟;张健;卢玉章;申健;黄亚奇设计研发完成，并于2023-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增加补缩片对单晶叶片缘板杂晶的抑制工艺在说明书摘要公布了：一种增加补缩片对单晶叶片缘板杂晶的抑制工艺，在蜡件缘板的两侧焊接两个与缘板宽度相等的等边三角形补缩片，其与缘板下表面的夹角为135°；采取底注‑螺旋选晶法组合蜡件，所述蜡件纵向单层均匀分布在水冷底盘上，连接浇口杯等使其形成完整的蜡树。使用320#电熔莫来石粉和硅溶胶混合制成料浆，再在其表面挂上不同粒径的电熔莫来石砂，自然干燥后进行脱蜡、焙烧，获得精密铸造单晶叶片型壳。本发明与现有技术相比，其优点在于：通过增加三角补缩片使缘板边缘区域长期处于液相区，避免形核产生杂晶，大幅提高叶片生产合格率及其工作性能。可避免通过增加引晶条而带来的晶界干扰等问题。
本发明授权一种增加补缩片对单晶叶片缘板杂晶的抑制工艺在权利要求书中公布了：1.一种增加补缩片对单晶叶片缘板杂晶的抑制工艺，其特征在于：所述的增加补缩片对单晶叶片缘板杂晶的抑制工艺，在蜡件缘板1的两侧焊接两个与缘板宽度相等的等边三角形补缩片2，其与缘板1下表面的夹角为135°； 采取底注-螺旋选晶法组合蜡件，所述蜡件纵向单层均匀分布在水冷底盘上，连接浇口杯使其形成完整的蜡树；使用320#电熔莫来石粉和硅溶胶混合制成料浆，再在其表面挂上不同粒径的电熔莫来石砂，自然干燥后进行脱蜡、焙烧，获得精密铸造单晶叶片型壳； 采用高效凝固炉，制备单晶叶片，抽拉速率3mmmin，浇注温度1550-1600℃，保温炉上下区温度均为1500℃，抽拉高度240mm。
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