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龙图腾网获悉湖南九山半导体科技有限公司申请的专利一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118063215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410189044.7，技术领域涉及：C04B35/56；该发明授权一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法是由尹宜辉;邓雄志;刘超;王建伟;王振兴设计研发完成，并于2024-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化物陶瓷制备技术领域，公开了一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法。制备TaC陶瓷先驱体包括以下步骤：S1、将一水合柠檬酸和五氯化钽粉体加入至无水乙醇中，水浴温度为10～20℃，得到第一溶液；S2、将S1得到的所述第一溶液水浴加热至30～50℃，加入去离子水并不断搅拌，保温20～40min，得到第二溶液；S3、向S2得到的所述第二溶液中滴加乙二醇，搅拌均匀后静置20～30min，得到第三溶液；S4、将S3得到的所述第三溶液水浴加热至50～70℃，保温0.5～2h，得到先驱体溶液。本发明制备的先驱体为含碳、钽元素的稳定有机化合物，可长期保存，制备工艺简单、生产成本低，最终获得的TaC陶瓷纯度高。

本发明授权一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TaC陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： TaC陶瓷先驱体的制备： S1、将一水合柠檬酸和五氯化钽粉体加入至无水乙醇中，五氯化钽与无水乙醇的质量比为4:7~10，水浴温度为10~20℃，得到第一溶液； S2、将S1得到的所述第一溶液水浴加热至30~50℃，加入去离子水并不断搅拌，保温20~40min，得到第二溶液； S3、向S2得到的所述第二溶液中滴加乙二醇，搅拌均匀后静置20~30min，得到第三溶液；五氯化钽、一水合柠檬酸与乙二醇的质量比为4:1~2:1~2； S4、将S3得到的所述第三溶液水浴加热至50~70℃，保温0.5~2h，得到先驱体溶液； TaC陶瓷的制备： T1、将TaC陶瓷先驱体置于120~200℃温度下交联固化； T2、将T1交联固化后的TaC陶瓷先驱体置1400~1800℃温度下高温处理，得到TaC陶瓷。

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