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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种多重曝光技术的刻蚀偏差获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119292000B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310842962.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种多重曝光技术的刻蚀偏差获取方法是由江春珂设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多重曝光技术的刻蚀偏差获取方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种多重曝光技术的刻蚀偏差获取方法，所述方法包括：提供第一光罩和第二光罩，所述第一光罩包括第一图形和第二图形，所述第二光罩包括第三图形，所述第二图形和第三图形叠加构成第四图形；获取所述第一图形和第四图形的模拟显影后的线端间距；执行第一光刻工艺，获取所述第一图形的显影后的线端间距；执行第二光刻工艺，所述第三图形和所述第二图形在所述晶圆上叠加构成第四图形，获取所述第四图形的刻蚀后的线端间距；基于所述第一图形和第四图形的模拟显影后的线端间距、所述第一图形的显影后的线端间距和所述第四图形的刻蚀后的线端间距获取刻蚀偏差。本申请的技术方案可以使得线端间距的刻蚀偏差在长度方向更精确。

本发明授权一种多重曝光技术的刻蚀偏差获取方法在权利要求书中公布了：1.一种多重曝光技术的刻蚀偏差获取方法，其特征在于，包括： 提供第一光罩和第二光罩，所述第一光罩包括第一图形和第二图形，所述第二光罩包括第三图形，所述第二图形和第三图形叠加构成第四图形； 获取所述第一图形和第四图形的模拟显影后的线端间距； 执行第一光刻工艺，将所述第一图形和第二图形复制到晶圆上，获取所述第一图形的显影后的线端间距； 执行第二光刻工艺，将所述第三图形复制到所述晶圆上，所述第三图形和所述第二图形在所述晶圆上叠加构成第四图形，获取所述第四图形的刻蚀后的线端间距； 基于所述第一图形和第四图形的模拟显影后的线端间距、所述第一图形的显影后的线端间距和所述第四图形的刻蚀后的线端间距获取刻蚀偏差，基于所述第一图形和第四图形的模拟显影后的线端间距、所述第一图形的显影后的线端间距和所述第四图形的刻蚀后的线端间距获取刻蚀偏差的方法包括:基于所述第一图形的显影后的线端间距、所述第一图形的模拟显影后的线端间距获取模型误差;基于所述模型误差和所述第四图形的模拟显影后的线端间距获取所述第四图形的实际显影后的线端间距;基于所述第四图形的实际显影后的线端间距和所述第四图形的刻蚀后的线端间距获取刻蚀偏差。

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