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龙图腾网获悉长安大学;上海空间推进研究所申请的专利一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备多孔陶瓷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119638483B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411886574.3，技术领域涉及：C04B38/06；该发明授权一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备多孔陶瓷的方法是由张凤英;余泽镕;曾德军;杨旭东;叶梓萌设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备多孔陶瓷的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备多孔陶瓷的方法，该方法通过溶胶处理在SiC颗粒表面形成一层均匀的SiO2涂层，随后，将改性后的SiC颗粒配置成光固化打印浆料，用于制造复杂形状的SiC坯体，最终通过脱脂和烧结工艺制备出多孔SiC陶瓷。SiO2涂层不仅能够提升SiC颗粒的光固化打印性能，还有效避免了在后续金属浸渗过程中Al与SiC直接反应生成有害相Al4C3。该方法工艺简单、参数可控且稳定可靠，得到的多孔SiC陶瓷具有连续的三维孔隙结构，孔隙结构和尺寸适宜铝熔体流动和完全填充，可用于制备复杂结构高比分SiCAl复合材料，有望拓宽光固化打印技术在深色系陶瓷打印和复杂结构SiC金属复合材料制造领域的应用。

本发明授权一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备多孔陶瓷的方法在权利要求书中公布了：1.一种溶胶改性SiC颗粒光固化制备用于渗铝工艺的多孔陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、SiC颗粒的溶胶改性 将SiC颗粒用无水乙醇进行超声清洗，去除表面杂质后干燥，然后加入到预混液B中，再加入预混液A，得到反应混合物，反应混合物在25℃、密闭的条件下搅拌9~16h，在SiC颗粒的表面进行溶胶改性，经过离心、洗涤和干燥，得到改性后的SiC颗粒； 所述预混液A由正硅酸乙酯和无水乙醇a混合制成；所述预混液B由去离子水、氨水和无水乙醇b混合制成； 所述反应混合物中原料的质量比为：SiC颗粒0.5~1.0份、正硅酸乙酯3~5份、无水乙醇a6~12份、去离子水4~6份、氨水0.5~4份、无水乙醇b4~20份；所述氨水的浓度为0.5~1.75molL； 经过溶胶改性后的SiC颗粒表面附着一层SiO2膜，SiO2膜层的厚度为500~1000nm，在SiC表面的覆盖率＞97%； S2、光固化SiC浆料的制备 将S1中得到改性后的SiC颗粒与范思可刚性树脂制备成光固化SiC浆料，所述光固化SiC浆料中还加入分散剂、光引发剂和紫外光吸收剂； 所述改性后的SiC颗粒与范思可刚性树脂的质量比为11：5.5~6.5；所述分散剂加入量是范思可刚性树脂质量的1%~5%；所述光引发剂加入量是范思可刚性树脂质量的5%~10%；所述紫外光吸收剂加入量是范思可刚性树脂质量的0.5%~1%； S3、光固化SiC坯体 将S2得到的光固化SiC浆料进行光固化3D打印成型，干燥后，得到光固化SiC坯体； S4、光固化SiC坯体的脱脂及氧化烧结 将S3得到的光固化SiC坯体进行脱脂和氧化烧结处理，采用脱脂烧结一体化工艺，脱脂和氧化烧结一炉次实现，气氛为大气，方法为：在干燥条件下，将光固化SiC坯体置于马弗炉中，以0.1~0.5℃min的速率升温至650~700℃，保温0.5~2h，再以10~40℃min的速率升温至1300~1400℃，保温0.2~3h，结束后冷却至室温，超声清洗并干燥，得到多孔SiC陶瓷； 所述多孔SiC陶瓷具有各向同性、均匀且连通的孔隙，孔隙率为45~55%。

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