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龙图腾网获悉江苏捷捷微电子股份有限公司申请的专利一种台面型半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610077185.9，技术领域涉及：H10P50/68；该发明授权一种台面型半导体器件的制造方法是由唐椿琛;张翼设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种台面型半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种台面型半导体器件的制造方法，所述方法包括：S1、双面刻蚀与台面腐蚀；S2、进行热氧化平滑处理，使得平滑后的槽口角度≥100°；S3、选择去除需要去除的氧化层；S4、进行后续标准工艺；本发明利用热氧化在尖锐角部速率更快的特性，主动将槽口尖锐角部平滑化为圆滑角部，从而从根本上杜绝后续工艺中的机械崩边缺陷。同时引发的杂质分凝效应优化了表面掺杂浓度，在提升击穿电压的同时，优化了器件的触发特性，使可控硅触发电流IGT降低约20%。

本发明授权一种台面型半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种台面型半导体器件的制造方法，其特征在于：所述方法包括： S1、双面刻蚀与台面腐蚀； S2、进行热氧化平滑处理，使得平滑后的槽口角度≥100°； S3、选择去除需要去除的氧化层； S4、进行后续标准工艺； 所述步骤S1包括： a1、提供具有尖锐槽口台面结构的半导体衬底； a2、用光刻胶保护管芯； a3、用硅腐蚀液进行选择性腐蚀形成规整的具有尖锐槽的斜台面； 所述步骤S2具体包括： b1、进行0.5h干氧处理，温度设置为1140±５℃，形成100-150nm的初始氧化层； b2、进行3~4h湿氧处理，温度设置为1140±５℃，湿氧温度95±２℃，气体流量单位为Ｌ／ｍｉｎ，升温速率为5±0.5℃／ｍｉｎ，降温速率为２±0.3℃／ｍｉｎ，形成1.0-1.2μm的氧化层； b3、进行0.5h干氧处理，温度设置为1140±５℃，形成1.1μm-1.4μm的氧化层； 所述步骤S2中，氧化速率与界面曲率半径呈反比关系，氧化剂的扩散场强度增强，同时界面的推进速度与曲率半径成反比，遵循公式： dxdt=kr 其中，k为与温度相关的速率常数，dx表示氧化层厚度或界面的微小位移变化，dt表示时间的微小变化，是氧化过程的时间微分项，dt与dx结合构成氧化速率，用于描述单位时间内氧化层的生长量，r表示界面的曲率半径。

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