三一硅能(株洲)有限公司张国久获国家专利权
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龙图腾网获悉三一硅能(株洲)有限公司申请的专利一种溅射阴极及磁控溅射装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224160676U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521082660.9，技术领域涉及：C23C14/35；该实用新型一种溅射阴极及磁控溅射装置是由张国久;闫宁宁设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种溅射阴极及磁控溅射装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种溅射阴极及磁控溅射装置，用于在基板表面形成沉积薄膜，溅射阴极包括反应腔体、沉积通道及磁体组，反应腔体具有第一开口，且内壁设置有靶材层；沉积通道一端与第一开口导通，另一端朝向基板，且内壁设置有靶材层；磁体组与反应腔体连接，且在沉积通道的轴向沉积通道和磁体组的投影不重合，磁体组在反应腔体内形成粒子溅射点；其中，沉积通道靠近溅射点的最近点为基点，溅射点与基点连线的延长线与沉积通道的内部相交。如此设置，以保证从粒子发射点射出高能粒子需要进行至少一次碰撞才能移动到基板表面，这样轰击到基板上的高能粒子的动能会降低，这样就能减缓甚至避免高能粒子轰击基板时造成基板和沉积薄膜的损伤。
本实用新型一种溅射阴极及磁控溅射装置在权利要求书中公布了：1.一种溅射阴极，其特征在于，用于在基板表面形成沉积薄膜，包括： 反应腔体，具有第一开口，且内壁设置有靶材层； 沉积通道，一端与所述第一开口导通，另一端朝向所述基板，且内壁设置有靶材层； 磁体组，与所述反应腔体连接，且在所述沉积通道的轴向所述沉积通道和所述磁体组的投影不重合，所述磁体组在所述反应腔体内形成粒子溅射点； 其中，所述沉积通道靠近所述溅射点的最近点为基点，所述溅射点与所述基点的连线的延长线与所述沉积通道的内部相交。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三一硅能(株洲)有限公司，其通讯地址为：412000 湖南省株洲市石峰区铜塘湾街道铜霞路255号隆信国际1号楼518-50室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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