苏州承峻半导体设备有限公司董建树获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州承峻半导体设备有限公司申请的专利一种碳化硅单晶生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224160743U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521066873.2，技术领域涉及：C30B29/36；该实用新型一种碳化硅单晶生长装置是由董建树;成诗恕;胡玉琪;程维祥设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅单晶生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及碳化硅单晶生长领域，公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括下架，所述下架顶端固定连接有上架，所述下架内部设置有伺服升降机构，伺服升降机构包括固定连接于下架内部顶端的减速电机，所述减速电机的输出轴固定连接有螺杆，所述螺杆活动装配于下架内。该碳化硅单晶生长装置通过设置有伺服升降机构和伺服旋转机构，协同控制坩埚旋转升降与线圈相对运动，使得加热区位置与晶体生长界面始终保持热场一致性，适应生长过程中热传导条件的变化，使加热温场可以在晶体生长不同阶段进行精准重构，提高晶体质量稳定性，生长速率相比传统工艺大大提高，解决了固定坩埚和静态加热线圈，无法适应生长过程中动态变化的温场需求的问题。
本实用新型一种碳化硅单晶生长装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶生长装置，包括下架1，其特征在于：所述下架1顶端固定连接有上架11，所述下架1内部设置有伺服升降机构，伺服升降机构包括固定连接于下架1内部顶端的减速电机3，所述减速电机3的输出轴固定连接有螺杆2，所述螺杆2活动装配于下架1内，所述螺杆2外部活动连接有螺纹升降座14和升降台16，所述螺纹升降座14左侧固定连接有水冷腔13，所述水冷腔13顶端连通有生长腔12，所述生长腔12外壁覆盖有导热套7，导热套7外壁盘绕有感应线圈10； 所述升降台16顶端安装有伺服旋转机构；伺服旋转机构包括一组固定于升降台16顶端的伺服旋转电机15，所述伺服旋转电机15的输出轴固定连接有水冷杆4，所述水冷杆4顶端固定连接有连接器5，所述水冷杆4通过连接器5固定连接有坩埚6。
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