安徽兰宝智造科技有限公司许用疆获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽兰宝智造科技有限公司申请的专利一种集成电子保护器件及采用该保护器件的光电传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224164630U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520895445.4，技术领域涉及：H02H9/04；该实用新型一种集成电子保护器件及采用该保护器件的光电传感器是由许用疆;蔡海鹏;赵都桂;周成松;陈奔;汪金云设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成电子保护器件及采用该保护器件的光电传感器在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种集成电子保护器件及采用该保护器件的光电传感器，包括外壳，所述外壳内设有肖特基二极管和阵列TVS管，其中，所述阵列TVS管包括位于所述外壳内的N型半导体衬底和设置在所述N型半导体衬底表面上的四个第一P型基区，四个所述第一P型基区的表面上均设有第一阳极电极，所述第一阳极电极的表面上设有可引出引脚的第一金属层；本实用新型具有以下有益效果：本实用新型中的集成电子保护器件由于集成度高，体积非常小，从而能够应用于微型光电传感器中，极大的节省空间，同时兼顾了浪涌电压保护和电源极性保护；还有本实用新型中的集成电子保护器件在线与线之间都浪涌电压保护，残压相对较低，不会对后级电路的耐压要求很高。
本实用新型一种集成电子保护器件及采用该保护器件的光电传感器在权利要求书中公布了：1.一种集成电子保护器件，包括外壳1，其特征在于：所述外壳1内设有肖特基二极管2和阵列TVS管3，其中，所述阵列TVS管3包括位于所述外壳1内的N型半导体衬底301和设置在所述N型半导体衬底301表面上的四个第一P型基区302，所述N型半导体衬底301的表面上还设有隔离结构305，四个所述第一P型基区302之间通过所述隔离结构305隔离，四个所述第一P型基区302的表面上均设有第一阳极电极303，所述第一阳极电极303的表面上设有可引出引脚的第一金属层304。
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