台湾积体电路制造股份有限公司姚庆旺获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224165043U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521132102.9，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型半导体结构是由姚庆旺;林鑫成;钟采妤;周韬;刘致为设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：半导体结构包括多个背侧电源线以及记忆体单元。多个背侧电源线位于半导体基材上。记忆体单元位于多个背侧电源线上方。记忆体单元包括位于第一高度的第一上拉晶体管以及第二上拉晶体管、位于不同于第一高度的第二高度的第一下拉晶体管以及第二下拉晶体管，以及位于不同于第一高度以及第二高度的第三高度的第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管以及第四开关晶体管。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 多个背侧电源线，位于一半导体基材上；以及 一记忆体单元，位于所述多个背侧电源线上方，其中该记忆体单元包括位于一第一高度的一第一上拉晶体管以及一第二上拉晶体管、位于不同于该第一高度的一第二高度的一第一下拉晶体管以及一第二下拉晶体管，以及位于不同于该第一高度以及该第二高度的一第三高度的一第一开关晶体管、一第二开关晶体管、一第三开关晶体管以及一第四开关晶体管。
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