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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种金属线或金属件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110113750.X，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种金属线或金属件的形成方法是由金泰源;张月;杨涛;卢一泓;田光辉设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属线或金属件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金属线或金属件的形成方法，属于半导体制造领域，用以去除现有技术制备的金属线或金属件中的缺陷。该方法包括：提供一衬底，在衬底上沉积初始厚度的绝缘层；在初始厚度的绝缘层中形成金属通孔；在金属通孔中形成金属线或金属件，金属线或金属件的高度大于初始厚度的绝缘层；对金属线或金属件与初始厚度的绝缘层进行第一次去除处理至初始厚度的绝缘层的顶面或顶面以下，得到第一厚度的绝缘层；对第一厚度的绝缘层进行刻蚀处理，得到第二厚度的绝缘层，其中，第二厚度小于第一厚度；对金属线或金属件和第二厚度的绝缘层进行第二次去除处理。本发明能有效改善金属线或金属件的成型质量。

本发明授权一种金属线或金属件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种金属件的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，在所述衬底上沉积初始厚度的绝缘层，所述初始厚度的绝缘层厚度大于目标产品中绝缘层的厚度，提升金属件中缺陷的位置； 在所述初始厚度的绝缘层中形成金属通孔； 在所述金属通孔中形成金属件，所述金属件的高度大于所述初始厚度的绝缘层； 对所述金属件与所述初始厚度的绝缘层进行第一次去除处理，至所述初始厚度的绝缘层的顶面或顶面以下，得到第一厚度的绝缘层，其中，第一次去除处理后的金属件的高度与所述第一厚度的绝缘层高度相同，且金属通孔开口区域的金属件中产生有尺寸为10埃以上的缺陷； 对所述第一厚度的绝缘层进行刻蚀处理，所述刻蚀处理的去除下限不高于所述缺陷最低处，得到第二厚度的绝缘层，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度，且所述第二厚度与第一厚度的厚度差至少为10埃； 对所述金属件和所述第二厚度的绝缘层进行第二次去除处理； 其中，所述第一次去除处理采用化学机械平坦化，所述金属件对初始厚度的绝缘层的选择比为10:1以上； 所述第二次去除处理采用干法刻蚀或化学机械平坦化，所述第二次去除处理后，所述金属件中的缺陷被彻底去除，最终形成的金属件的高度与所述第二厚度的绝缘层的厚度相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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