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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种应用于12位逐次逼近型模数转换器的电容阵列及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114826272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210439522.6，技术领域涉及：H03M1/46；该发明授权一种应用于12位逐次逼近型模数转换器的电容阵列及方法是由罗红瑞;孙权;焦子豪;袁婷;张龙设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于12位逐次逼近型模数转换器的电容阵列及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种应用于12位逐次逼近型模数转换器的电容阵列及方法，差分电容阵列均包括第一电容阵列和多个级联的第二电容阵列，用于更多位次的逐次逼近转换，所述第一电容阵列和多个第二电容阵列之间均采用桥接电容连接，且相邻下级电容阵列最大电容的等效权重是上级电容阵列最小电容的四分之一，在桥接电容之前增加两个单位电容配合切换，进而达到桥接后最高位电容等效权重不变的效果，第一电容阵列和第二电容阵列位于桥接电容两侧的电容容值逐个递减；本申请采用的电容配置下的电容阵列和现有技术中采用的2CU桥接式电容架构相比，本申请能够节省70个单位电容的面积，同时显著降低了电容的切换功耗。

本发明授权一种应用于12位逐次逼近型模数转换器的电容阵列及方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于12位逐次逼近型模数转换器的电容阵列，其特征在于，包括比较器和差分电容阵列； 所述差分电容阵列均包括第一电容阵列和多个级联的第二电容阵列，且相邻下级电容阵列最大电容的等效权重是上级电容阵列最小电容的四分之一；所述第一电容阵列和多个第二电容阵列之间均采用桥接电容连接，所述桥接电容采用P组桥接电容CBRI和N组桥接电容CBRI； 所述第一电容阵列采用16组二进制电容组成，所述第二电容阵列采用12组二进制电容组成，第一电容阵列和第二电容阵列位于桥接电容两侧的电容容值逐个递减； 所述第一电容阵列包括第一P组电容阵列和第一N组电容阵列，所述第一P组电容阵列的上极板和P组桥接电容CBRI的上极板均连接比较器的正向输入端，第一N组电容阵列的上极板和N组桥接电容CBRI的上极板均连接比较器的反向输入端； 所述第二电容阵列包括第二P组电容阵列和第二N组电容阵列，所述第二P组电容阵列的上极板接入P组桥接电容CBRI的下极板，第二N组电容阵列的上极板接入N组桥接电容CBRI的下极板； 所述第一P组电容阵列包括电容C1X、电容C2X、电容C3X、电容C4X、电容C5X、电容C6X、电容C6RX、电容C7和电容C8A； 所述电容C1X为32CU，电容C2X为16CU，电容C3X为8CU，电容C4X为4CU，电容C5X为2CU，电容C6X、电容C6RX、电容C7和电容C8A均为CU； 所述电容C6RX为冗余电容； 所述第一N组电容阵列包括电容C1Y、电容C2Y、电容C3Y、电容C4Y、电容C5Y、电容C6Y、电容C6RY和电容C7； 所述电容C1Y为32CU，电容C2Y为16CU，电容C3Y为8CU，电容C4Y为4CU，电容C5Y为2CU，电容C6Y、电容C6RY、电容C7和电容C8A均为8CU；所述电容C6RY为冗余电容； 所述第二P组电容阵列和第二N组电容阵列均包括电容C8B、电容C9、电容C10、电容C11、电容C11R和电容C12； 所述电容C8B为8CU，电容C9为8CU，电容C10为4CU，电容C11为2CU，电容C11R为2CU，电容C12为CU； 所述电容C11R为冗余电容，所述P组桥接电容CBRI和P组桥接电容CBRI的容值均为CU。

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