北京大学深圳研究生院王鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210411896.7，技术领域涉及：H10D62/82；该发明授权一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法是由王鹏飞;陆磊;王云萍;杨欢;周晓梁;张盛东设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法，其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料，中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散，另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒，使得电子在两种半导体有源层之间能够发生自由迁移或者大量隧穿，从而使得第一有源层和第二有源层之间能够形成较理想的异质结界面，获得更深的异质结势阱。形成更为理想的半导体异质结，使得真正利用和发挥异质结在金属氧化物半导体器件中的性能优势。提升了现有的高迁移率高稳定性的晶体管或高耐压性的二极管等器件的性能。
本发明授权一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体器件的异质结结构，其特征在于，包括：位于基底以及基底上方的异质结构层； 所述异质结构层包括至少两层有源层以及位于相邻的两层所述有源层之间的中间结构层，其中，相邻的两层所述有源层包括第一有源层和第二有源层，相邻的两层所述有源层的带隙不同，以使得在相邻的两层有源层之间形成异质结，所述中间结构层用于阻挡金属和氧元素的扩散，所述中间结构层的厚度和能带结构允许载流子穿过，并在所述第一有源层和所述第二有源层之间传输； 所述中间结构层为：氧化铝、氧化铪、氧化钽或氧化钛。
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