深圳市纽菲斯新材料科技有限公司沈榆程获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市纽菲斯新材料科技有限公司申请的专利一种多层陶瓷电子元件、电子线路板及其制备工艺和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210546645.X，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权一种多层陶瓷电子元件、电子线路板及其制备工艺和应用是由沈榆程;何岳山;杨柳;刘飞;许伟鸿;王粮萍;刘汉成;练超;李东伟设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层陶瓷电子元件、电子线路板及其制备工艺和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层陶瓷电子元件、电子线路板及其制备工艺和应用。所述多层陶瓷电子元件包括依次叠加设置的第一绝缘介质层、多层陶瓷层和第二绝缘介质层；所述多层陶瓷电子元件中包括通孔，所述通孔贯穿第一绝缘介质层、多层陶瓷层和第二绝缘介质层，或者所述通孔贯穿多层陶瓷层和第二绝缘介质层；所述第二绝缘介质层的通孔处设置有锡焊球；所述多层陶瓷层由多个复合层组成；所述复合层包括依次叠加设置的陶瓷生片、线路层和树脂层。本发明通过对多层陶瓷电子元件结构的设计，可以在较低温度和压力下就能将多个陶瓷生片层叠复合得到多层陶瓷电子元件，避免了烧结工序带来的巨大能量损耗和生产成本增加。
本发明授权一种多层陶瓷电子元件、电子线路板及其制备工艺和应用在权利要求书中公布了：1.一种多层陶瓷电子元件，其特征在于，所述多层陶瓷电子元件包括依次叠加设置的第一绝缘介质层、多层陶瓷层和第二绝缘介质层； 所述多层陶瓷电子元件中包括通孔，所述通孔贯穿第一绝缘介质层、多层陶瓷层和第二绝缘介质层，或者所述通孔贯穿多层陶瓷层和第二绝缘介质层； 所述第二绝缘介质层的通孔处设置有锡焊球； 所述多层陶瓷层由多层复合层组成； 所述复合层包括依次叠加设置的陶瓷生片、线路层和树脂层； 所述树脂层的厚度为10~400μm； 所述多层陶瓷电子元件由多个陶瓷生片在温度≤200℃、压力为0.1~10MPa层叠复合得到； 所述陶瓷生片的热膨胀系数＜25ppmK-1； 所述树脂层的热膨胀系数＜25ppmK-1。
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