格芯(美国)集成电路科技有限公司乌兹玛·拉娜获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210122456.X，技术领域涉及：H10D10/00；该发明授权用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法是由乌兹玛·拉娜;V·杰恩;安东尼·肯德尔·斯坦普;刘奇志;S·P·阿杜苏米利设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法。本公开的方面提供了一种在衬底内具有双极型晶体管堆叠的集成电路IC结构。双极型晶体管堆叠可以包括：集电极、位于集电极上的基极、以及位于基极的第一部分上的发射极。发射极的水平宽度小于基极的水平宽度，并且发射极的上表面与衬底的上表面基本共面。外基极结构位于双极型晶体管堆叠的基极的第二部分上并与发射极水平相邻。外基极结构包括位于衬底的上表面上方的上表面。
本发明授权用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC结构，包括： 位于衬底内的双极型晶体管堆叠，所述双极型晶体管堆叠包括： 集电极， 位于所述集电极上的基极，以及 位于所述基极的第一部分上的发射极，其中所述发射极的水平宽度小于所述基极的水平宽度； 位于所述双极型晶体管堆叠中的所述基极的第二部分上并与所述发射极水平相邻的外基极结构；其中所述外基极结构包括位于所述衬底的上表面上方的上表面； 位于所述衬底内的掺杂半导体区，其中所述掺杂半导体区包括竖直地从所述衬底的所述上表面延伸到位于所述双极型晶体管堆叠下方的一深度的第一部分、以及与所述第一部分水平相邻并位于所述双极型晶体管堆叠下方的第二部分； 水平地位于所述掺杂半导体区与所述双极型晶体管堆叠之间的第一沟槽隔离TI；以及 水平地位于所述双极型晶体管堆叠与所述第一TI之间并接触所述双极型晶体管堆叠和所述第一TI的第二TI，其中所述第一TI与所述第二TI之间具有物理边界。
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