应用材料公司马骏获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利腔室沉积和蚀刻工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930507B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092245.5，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权腔室沉积和蚀刻工艺是由马骏;A·班塞尔;T·A·恩古耶设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本腔室沉积和蚀刻工艺在说明书摘要公布了：一种半导体处理的示例性方法，可包括以下步骤：在安置于容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板支撑件上的基板上沉积材料。处理区域可至少部分地由基板支撑件和面板限定。基板支撑件可在处理区域内相对于面板处于第一位置。方法可包括以下步骤：将基板支撑件平移到相对于面板的第二位置。方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成蚀刻剂前驱物的等离子体。方法可包括以下步骤：蚀刻基板的边缘区域。
本发明授权腔室沉积和蚀刻工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理方法，包括以下步骤： 在安置于容纳在半导体处理腔室的处理区域中的基板支撑件上的基板上沉积材料，其中所述处理区域至少部分地由所述基板支撑件和面板限定，并且其中所述基板支撑件位于所述处理区域内相对于所述面板的第一位置； 将所述基板支撑件和安置在所述基板支撑件上的所述基板升高至相对于所述面板的第二位置； 在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成蚀刻剂前驱物的环形等离子体；以及 蚀刻所述基板的边缘区域。
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