中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵振阳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110210812.9，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权半导体结构的形成方法是由赵振阳;胡昌杰;何朋设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多个分立的侧墙，所述侧墙包括掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；去除部分区域的伪掩膜侧墙，使得所述掩膜侧墙和剩余的伪掩膜侧墙间隔距离的均匀度满足预设范围；以所述掩膜侧墙和剩余的伪掩膜侧墙为掩膜，图形化所述基底，形成与所述掩膜侧墙对应的鳍部和与所述剩余的伪掩膜侧墙对应的伪鳍部；去除所述伪鳍部。采用本发明实施例的半导体结构的形成方法，可以改善现有技术形成的鳍部具有不同的关键尺寸，从而使其满足工艺要求。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成多个分立的侧墙，所述侧墙包括掩膜侧墙和伪掩膜侧墙； 去除部分区域的伪掩膜侧墙，使得所述掩膜侧墙和剩余的伪掩膜侧墙间隔距离的均匀度满足预设范围；其中，所述部分区域被去除的伪掩膜侧墙的数量是根据工艺要求的鳍部的关键尺寸确定的，所述去除的所述部分区域的相邻的伪掩膜侧墙的数量小于等于2，所述去除的所述部分区域的伪掩膜侧墙与有源区的距离小于或等于预设阈值，所述预设阈值为15至45nm，且所述所述部分区域的伪掩膜侧墙与有源区的距离为相邻鳍部间隔的距离； 以所述掩膜侧墙和剩余的伪掩膜侧墙为掩膜，图形化所述基底，形成与所述掩膜侧墙对应的鳍部和与所述剩余的伪掩膜侧墙对应的伪鳍部； 去除所述伪鳍部。
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