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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种外延晶圆的生产控制方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211562068.X，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种外延晶圆的生产控制方法和装置是由刘凯设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延晶圆的生产控制方法和装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延晶圆的生产控制方法和装置。外延晶圆的生产控制方法应用于外延反应炉，外延反应炉包括工艺腔室和位于所述工艺腔室内的加热模组，所述加热模组包括多组位于不同位置的加热单元；所述方法包括以下步骤：获取晶圆的实时边缘变形量；比较预设的晶圆边缘变形量和所述晶圆的实时边缘变形量，当所述晶圆的实时边缘变形量大于所述预设的晶圆边缘变形量，调整所述加热模组的加热总功率和不同加热单元的功率比例，直至所述晶圆的实时边缘变形量小于等于所述预设的晶圆边缘变形量。本发明实施例能够降低晶圆的形状变化，从而实现降低晶圆的外延晶圆边缘区域出现颗粒聚集现象，有助于提高晶圆的良率和品质。

本发明授权一种外延晶圆的生产控制方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种外延晶圆的生产方法，其特征在于，应用于外延反应炉，所述外延反应炉包括工艺腔室和位于所述工艺腔室内的加热模组，所述加热模组包括多组位于不同位置的加热单元； 所述方法包括以下步骤： 获取晶圆的实时边缘变形量； 比较预设的晶圆边缘变形量和所述晶圆的实时边缘变形量，当所述晶圆的实时边缘变形量大于所述预设的晶圆边缘变形量，调整所述加热模组的加热总功率和不同加热单元的功率比例，直至所述晶圆的实时边缘变形量小于等于所述预设的晶圆边缘变形量； 所述工艺腔室内包括用于承载所述晶圆的基座，所述调整所述加热模组的加热总功率以及不同加热单元的功率比例，包括： 获取所述基座的高度值的变化趋势，以及所述晶圆的边缘与所述基座的边缘之间的最小距离的变化范围； 在所述高度值的变化趋势处于上升趋势，且所述最小距离处于预设距离范围之外的情况下，控制所述加热模组以第一加热模式加热； 在所述高度值的变化趋势处于稳定状态，且所述最小距离处于所述预设距离范围之内的情况下，控制所述加热模组以第二加热模式加热； 其中，在所述第一加热模式下，所述晶圆顶部中央区域的加热功率大于所述晶圆顶部边缘区域的加热功率，所述晶圆底部中央区域的加热功率小于所述晶圆底部边缘区域的加热功率； 在所述第二加热模式下，所述晶圆底部中央区域的加热功率小于所述晶圆底部边缘区域的加热功率；或 所述调整所述加热模组的加热总功率以及不同加热单元的功率比例，包括： 获取所述高度值的变化趋势，以及所述晶圆上方的温度的变化范围； 在所述高度值的变化趋势处于上升趋势，且所述晶圆上方的温度处于预设温度范围之外的情况下，控制所述加热模组以第一加热模式加热； 在所述高度值的变化趋势处于稳定状态，且所述晶圆上方的温度处于所述预设温度范围之内的情况下，控制所述加热模组以第二加热模式加热； 其中，在所述第一加热模式下，所述晶圆顶部中央区域的加热功率大于所述晶圆顶部边缘区域的加热功率，所述晶圆底部中央区域的加热功率小于所述晶圆底部边缘区域的加热功率； 在所述第二加热模式下，所述晶圆底部中央区域的加热功率小于所述晶圆底部边缘区域的加热功率。

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