世界先进积体电路股份有限公司陈志谚获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110885325.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构是由陈志谚;卢钒达;王端玮;陈俊扬设计研发完成，并于2021-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构，包括：基板、缓冲层、通道层、阻障层、掺杂化合物半导体层、以及复合阻挡层。缓冲层位于基板上。通道层位于缓冲层上。阻障层位于通道层上。掺杂化合物半导体层位于阻障层上。复合阻挡层位于掺杂化合物半导体层上，复合阻挡层与阻障层包含相同的第三族元素，且在复合阻挡层中的所述相同的第三族元素的原子百分比随着远离掺杂化合物半导体层而增加。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基板； 一缓冲层，位于该基板上； 一通道层，位于该缓冲层上； 一阻障层，位于该通道层上； 一掺杂化合物半导体层，位于该阻障层上；以及 一复合阻挡层，位于该掺杂化合物半导体层上，其中该复合阻挡层与该阻障层含有至少一种相同的第三族元素，且在该复合阻挡层中的该相同的第三族元素的原子百分比随着远离该掺杂化合物半导体层而增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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