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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利半导体复合装置以及半导体复合装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115918279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180042515.6，技术领域涉及：H05K3/46；该发明授权半导体复合装置以及半导体复合装置的制造方法是由北村达矢;姫田高志;古川刚史设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体复合装置以及半导体复合装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的半导体复合装置1具备构成为与多个通道对应且构成稳压器的有源元件10和无源元件20、被供给由上述稳压器调整后的直流电压的负载30、以及与有源元件10、无源元件20及负载30电连接的布线基板40。配置于通道的多个电容器例如，输出电容器C1和C2包含电容器阵列50，该电容器阵列50包含平面配置的多个电容器部且一体成型。电容器阵列50具有在相对于布线基板40的安装面垂直的方向上贯通电容器阵列50的多个通孔导体TH1和TH2。从布线基板40的安装面观察，电容器阵列50的至少一部分配置在与负载30重叠的位置。

本发明授权半导体复合装置以及半导体复合装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体复合装置，具备： 有源元件和无源元件，与多个通道对应地配置，且构成稳压器； 负载，被供给由上述稳压器调整后的直流电压，且包含半导体元件；以及 布线基板，与上述有源元件、上述无源元件及上述负载电连接， 构成上述稳压器的上述有源元件包含开关元件， 构成上述稳压器的上述无源元件包含电容器，配置于上述通道的多个上述电容器包含电容器阵列，其中，上述电容器阵列包含平面配置的多个电容器部且一体成型， 上述电容器阵列具有在相对于上述布线基板的安装面垂直的方向上贯通上述电容器阵列的多个通孔导体， 从上述布线基板的安装面观察，上述电容器阵列的至少一部分配置在与上述负载重叠的位置， 构成上述稳压器的上述无源元件还包含电感器，上述电感器连接在上述开关元件与上述负载之间， 配置于至少一个通道的上述电感器与贯通上述电容器阵列的上述通孔导体电连接， 从上述布线基板的安装面观察，与上述通孔导体电连接的上述电感器的至少一部分配置在与上述电容器阵列重叠的位置， 将上述电感器与上述通孔导体电连接的通道构成将多个电源电路并联连接的多相电源， 与上述电感器连接的上述通孔导体与上述电容器的阳极连接，其中，上述电感器按构成上述多相电源的每个上述电源电路来配置， 与各个上述电感器连接的多个上述通孔导体经由上述电容器的阳极电连接。

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