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龙图腾网获悉南通大学申请的专利基于微毫流控集成芯片的拟南芥培养及根系微形态研究法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117299243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311209179.7，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权基于微毫流控集成芯片的拟南芥培养及根系微形态研究法是由孙利军;姚登兵;张亚莉;孙张华;赵宇婷设计研发完成，并于2023-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于微毫流控集成芯片的拟南芥培养及根系微形态研究法在说明书摘要公布了：本发明提出的是基于微毫流控集成芯片的拟南芥培养及根系微形态研究法，通过数控机床加工制造PMMA模具，配置聚二甲基硅氧烷制作成微毫流控集成芯片；将微毫流控集成芯片进行浓度梯度测试后，在微毫流控芯片上对拟南芥进行培养，并进行根系观测以及高盐胁迫处理。本发明弥补了传统软光刻芯片无法实现毫米级加工的缺陷，毫米级通道为拟南芥根系生长提供了足够的空间，并能够直接对拟南芥的生长进行动态观察，便于监测拟南芥根系的动态发育过程；而微米级通道可以实现容液的实时切换和浓度实时控制，将微米级浓度梯度形成区与毫米级的植物根系培养区相结合，不仅拓展了拟南芥的生长空间，且为研究植物在外界的瞬时刺激响应机制提供新的研究策略。

本发明授权基于微毫流控集成芯片的拟南芥培养及根系微形态研究法在权利要求书中公布了：1.一种基于微毫流控芯片的拟南芥培养方法，具体包括如下步骤： 1通过数控机床加工制造PMMA模具，配置聚二甲基硅氧烷制作微毫流控芯片； 2将步骤1制作的微毫流控芯片进行浓度梯度测试； 3在步骤1制作的微毫流控芯片上进行拟南芥的培养； 4对步骤2生长的拟南芥进行根系观测以及高盐处理； 其特征在于：所述微毫流控芯片分为毫米级的植物根系培养区和微米级的浓度梯度形成区，其中植物根系培养区的尺寸为4.5cmx1mmx1mm，浓度梯度形成区的高度为250μm；培养方式为竖直培养； 所述步骤3中拟南芥的培养的具体步骤如下： 用1mL注射器吸取无菌水冲洗微毫流控芯片通道3次，然后吸取霍格兰培养液冲洗3次，将无糖的12MS培养基填入微毫流控芯片的上端；将拟南芥种子先用75%乙醇洗15min，然后无菌水洗3次，每次3min；然后将拟南芥种子用注射器针头点入微毫流控芯片琼脂上端的培养基，将微毫流控芯片竖直放置于含少量无菌水的玻璃瓶内，用封口膜盖住瓶口，置于光照培养箱培养； 所述步骤4中拟南芥高盐处理的具体操作为：将两个1mL注射器分别吸取无菌的霍格兰培养基以及含有0.5MNaCl的霍格兰培养基，然后将连接有外径0.75mm的不锈钢接头的塑料管与注射器连接，推动活塞排尽空气；将两个注射器置于注射泵并固定，然后开启注射泵以20μLmin的流速泵出培养液，将微毫流控芯片置于显微镜的载物台，然后将不锈钢接头接入芯片的进样孔，将注射泵的流速变为10μLmin，使用10min，并用显微镜拍照。

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