长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117334565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210730342.3，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构及其形成方法、版图结构是由唐怡设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、版图结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、版图结构，其中，所述方法包括：提供基底；基底包括沿第二方向依次排列的第一区域和第二区域；第一区域包括沿第三方向间隔排列的有源层；在第一区域中形成位于有源层表面的初始栅极结构；刻蚀初始栅极结构，形成沿第三方向堆叠的梳状栅极结构；其中，梳状栅极结构至少包括在第一方向上间隔排列的第一栅极结构；第一方向、第二方向和第三方向两两相互垂直，且第一方向与第二方向平行于基底表面；在第二区域形成沿第三方向延伸的位线结构和沿第二方向延伸的电容结构，位线结构与电容结构均与第一栅极结构连接。
本发明授权半导体结构及其形成方法、版图结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供基底；所述基底包括沿第二方向依次排列的第一区域和第二区域；所述第一区域包括沿第三方向间隔排列的有源层； 在所述第一区域中形成位于所述有源层表面的初始栅极结构； 刻蚀所述初始栅极结构，形成沿所述第三方向堆叠的梳状栅极结构；其中，所述梳状栅极结构至少包括在第一方向上间隔排列的第一栅极结构；所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相互垂直，且所述第一方向与所述第二方向平行于所述基底表面； 在所述第二区域形成沿所述第三方向延伸的位线结构和沿所述第二方向延伸的电容结构，所述位线结构与所述电容结构均与所述第一栅极结构连接。
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