深圳大学李甫获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117646178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311459842.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用是由李甫;赵健;许鸣媛设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用。本发明在惰性气体保护下，将单质Bi粉、单质Se粉和单质S粉混合球磨，得到Bi2SeS2化合物粉末，该粉末经放电等离子烧结处理，得到Bi2SeS2化合物靶材；采用磁控溅射技术将该靶材制备得到Bi2SeS2薄膜。本发明的Bi2SeS2化合物粉末烧结快速、温度低、能耗低，Bi2SeS2化合物靶材成分便于控制，易于后期薄膜成分的调控。同时，Bi2SeS2化合物粉末、Bi2SeS2化合物靶材制备时间短、磁控溅射效率高，因此可有效控制Bi2SeS2薄膜制备过程中S、Se易挥发元素的挥发，降低成分偏析。本发明工艺简单、成本低且重复性好。
本发明授权一种Bi2SeS2薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种Bi2SeS2薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在室温、惰性气体保护下，将单质Bi粉、单质Se粉和单质S粉混合，进行球磨处理，得到Bi2SeS2化合物粉末； 将所述Bi2SeS2化合物粉末进行放电等离子烧结处理，得到Bi2SeS2化合物靶材； 采用磁控溅射技术，将所述Bi2SeS2化合物靶材溅射沉积于基片上，在所述基片上制备得到所述Bi2SeS2薄膜； 其中，所述放电等离子烧结处理的烧结温度为450-650℃，烧结保温时间为30-55min。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳大学，其通讯地址为：518061 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励