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龙图腾网获悉无锡先为科技有限公司申请的专利一种从石墨基座到其保护涂层的过渡方法及石墨基体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118186363B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410305822.4，技术领域涉及：C23C16/32；该发明授权一种从石墨基座到其保护涂层的过渡方法及石墨基体是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种从石墨基座到其保护涂层的过渡方法及石墨基体在说明书摘要公布了：一种从石墨基座到其保护涂层的过渡方法，涉及半导体制造领域，包括：步骤S1，在石墨基座的表面形成第一缓冲层，第一缓冲层为保护涂层与碳层混合的过渡层，或第一缓冲层为厚度不高于200μm的保护涂层；步骤S2，进行刻蚀处理，形成自第一缓冲层表面向下凹陷的第一纹理；步骤S3，在处理后的表面沉积第一碳层；步骤S4，再次进行刻蚀处理，形成自第一碳层向下凹陷的第二纹理；步骤S5，在处理后的表面沉积第二缓冲层，第二缓冲层为保护涂层与碳层混合的第二过渡层，或，第二缓冲层为厚度不高于200μm的保护涂层；步骤S6，在第二缓冲层上沉积保护涂层；第一纹理的深度不小于第一缓冲层的厚度，第二纹理的深度不小于第一碳层的厚度。

本发明授权一种从石墨基座到其保护涂层的过渡方法及石墨基体在权利要求书中公布了：1.一种从石墨基座100到其保护涂层200的过渡方法，其特征在于，所述过渡方法包括： 步骤S1，在所述石墨基座100的表面形成第一缓冲层120，所述第一缓冲层120为所述保护涂层200与碳层混合的过渡层，或，所述第一缓冲层120为厚度不高于200μm的所述保护涂层200； 步骤S2，进行刻蚀处理，形成自所述第一缓冲层120表面向下凹陷的第一纹理310； 步骤S3，在处理后的表面沉积第一碳层101； 步骤S4，再次进行刻蚀处理，形成自所述第一碳层101向下凹陷的第二纹理320； 步骤S5，在处理后的表面沉积第二缓冲层121，所述第二缓冲层121为所述保护涂层200与碳层混合的第二过渡层，或，所述第二缓冲层121为厚度不高于200μm的所述保护涂层200； 步骤S6，在所述第二缓冲层121上沉积所述保护涂层200； 其中，所述第一纹理310的深度不小于所述第一缓冲层120的厚度，所述第二纹理320的深度不小于所述第一碳层101的厚度；所述保护涂层200为碳化硅涂层或碳化钽涂层。

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