天合光能股份有限公司王宇航获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利制备太阳能电池的方法、太阳能电池及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411109453.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权制备太阳能电池的方法、太阳能电池及其应用是由王宇航;柳伟;王天宇设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备太阳能电池的方法、太阳能电池及其应用在说明书摘要公布了：本申请公开了制备太阳能电池的方法、太阳能电池及其应用，该方法包括：1在硅片的表面进行ALD沉积氧化铝层，ALD沉积氧化铝层包括多个反应循环，每个反应循环均包括依次进行的三甲基铝蒸气脉冲、第一次氮气吹扫、水蒸气脉冲和第二次氮气吹扫；三甲基铝蒸气脉冲时间与水蒸气脉冲时间的比例为1:0.5～1.15；2在氧化气氛下对硅片进行退火处理；3在氧化铝层的远离硅片的表面形成氮化硅层。本申请通过优化ALD沉积氧化铝层的工艺条件，降低了氧化铝层中氢原子的含量，从而降低氧化铝层的爆膜风险。同时，在退火的过程中通入氧化气体可促进硅片和氧化铝之间形成致密的氧化硅层，保证了较为优异的化学钝化效果。
本发明授权制备太阳能电池的方法、太阳能电池及其应用在权利要求书中公布了：1.一种制备太阳能电池的方法，其特征在于，包括： 1在硅片的表面进行ALD沉积氧化铝层，所述ALD沉积氧化铝层包括多个反应循环，每个反应循环均包括依次进行的三甲基铝蒸气脉冲、第一次氮气吹扫、水蒸气脉冲和第二次氮气吹扫；所述三甲基铝蒸气脉冲时间与所述水蒸气脉冲时间的比例为1:0.5~1.15； 2在氧化气氛下对所述硅片进行退火处理； 3在所述氧化铝层的远离所述硅片的表面形成氮化硅层， 在步骤1中，在单次反应循环中，所述三甲基铝蒸气脉冲时间占单次反应循环总时间的5%~16%；所述水蒸气脉冲时间占单次反应循环总时间的5%~16%；所述第一次氮气吹扫时间占单次反应循环总时间的30%~40%；所述第二次氮气吹扫时间占单次反应循环总时间的35%~50%。
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