上海瓴术科技有限公司张兴旺获国家专利权
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龙图腾网获悉上海瓴术科技有限公司申请的专利基于近场辐射和等效传输线理论的天线罩功率反射计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119025786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411110823.X，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权基于近场辐射和等效传输线理论的天线罩功率反射计算方法是由张兴旺;赵英燕;曹群生设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于近场辐射和等效传输线理论的天线罩功率反射计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于近场辐射和等效传输线理论的天线罩功率反射计算方法，涉及电磁波传播与天线罩技术领域。包括如下步骤：将天线口面剖分为若干小区域；通过斯涅尔定理计算内表面入射角θi；反射系数表示成幅度和相位的形式；多层介质模型对天线罩的反射路径进行累加计算；计算天线罩内壁的能流密度；实现了对天线罩内壁功率反射系数的高精度计算。该方法能够有效优化天线罩的设计，减少电磁波的反射和传输损耗，提高天线系统的整体性能。与现有方法相比，本发明的计算方法复杂度适中，精度高，能够为天线罩设计提供科学依据和技术支持。
本发明授权基于近场辐射和等效传输线理论的天线罩功率反射计算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于近场辐射和等效传输线理论的天线罩功率反射计算方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤： S1、将天线口面剖分为若干小区域，通过近场辐射公式计算每个小区域在天线罩内壁的电磁波总场，具体包括： ； ； S2、利用能流密度公式确定电磁波的辐射方向，通过斯涅尔定理计算内表面入射角，其中：； S3、利用等效传输线理论计算电磁波在不同极化条件下的复数反射系数，反射系数表示成幅度和相位的形式：； S4、将反射场叠加到天线罩内壁的反射场，得到天线罩内壁的总反射场，使用多层介质模型对天线罩的反射路径进行累加计算； S5、利用能流密度公式计算天线罩内壁的能流密度，公式如下：； S6、根据内壁的能流密度，计算反射功率，具体公式为：。
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